مقاله تیریستور یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n

دانلود مقاله تیریستور یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .
اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

–

فهرست مطالب:
۱-۱-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )
(الف) مدلهای دیودی تیریستور
(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور
۱-۲-مشخصات تیریستور
۱-۲-۱-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)
۱-۳-۲-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به کاتد مثبت)
۱-۲-۳-تیریستور بایاس مستقیم و هدایت
(الف) روشن کردن توسط نور
(ب) روشن کردن توسط علائم الکتریکی اعمال شده به دریچه :
(پ) روشن کردن با ولتاژ شکست
(ت) روشن کردن
۱-۲-۴-خاموش شدن تیریستور
الف) جابجایی طبیعی
ب)خاموش یا بایاس معکوس :
(الف) خود جابه جایی توسط مدار تشدید
(ب) خاموش کردن تیریستور توسط مدار تشدید کمکی
(پ)خاموش کردن تیریستور توسط خازن موازی
(ت)خاموش کردن تیریستور توسط خازن سری
(پ) خاموشی دریچه
۱-۲-۵-زمان خاموشی تیریستور
۱-۲-۶-مدارهای محافظ گیت :
۱-۲-۷-حفاظت در برابر :
۱-۲-۸-حفاظت در برابر :
۱-۳-مشخصات تیریستور BT151 :
۲-۱-بلوک دیاگرام کلی مدار
۲-۲-تفاوتهای مدار عملی با مدار شبیه سازی شده :
۲-۳-تحلیل و شبیه سازی مدار توسط شبیه ساز Circuitmaker :
۲-۳-۱-طبقه ترانس کاهنده :
۲-۳-۲-طبقه آشکارساز عبور از صفر :
۲-۳-۳-طبقه تولید RAMP :
۲-۳-۴-طبقه Zero-span :
۲-۳-۵-طبقه مقایسه گر ( ) و مشتق گیر :
۲-۳-۶-طبقه تقویب جریان و ایزولاسیون :
۲-۴-مدار عملی ساخته شده همراه با نرم افزار :
۲-۴-۱-طبقه D/A :
۲-۴-۲-نرم افزار میکرو