مقاله حافظه های فلش

دانلود مقاله حافظه های فلش

حافظه های فلش
حافظه (‏DOM‏( ‏DiskOnModole‏
ماجول حافظه بر روی ‏IDE‏ در مدل های ۴۰ و ۴۴ پین با قاب و یا بدون قاب در ‏ظرفیت های مختلف تا ۵۱۲ مگابایت.‏

حافظه ‏EmbedDisk‏ —جدید!!!
ماجولهای حافظه ‏EmbedDisk‏ بر روی ‏IDE‏ و ‏SATA‏ در ظرفیتهای مختلف تا ۲ ‏گیگا بایت و با سرعت بالا

ماجول حافظه بر روی چیپ (‏DOC‏) محصول ‏M-Systems‏
حافظه های فلش ‏DOC‏ با ظرفیت های متفاوت از ۸ مگابایت تا ۲۵۶ مگابایت

انواع‎ ROM ‎
تولید تراشه های ‏ROM‏ مستلزم صرف وقت و هزینه بالائی است .بدین منظور اغلب ‏تولید کنندگان ، نوع خاصی از این نوع حافظه ها را که ‏PROM )Programmable‏ ‏Read-Only Memory‏) نامیده می شوند ، تولید می کنند.این نوع از تراشه ها با ‏محتویات خالی با قیمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده ‏از دستگاههای خاصی که ‏Programmer‏ نامیده می شوند ، برنامه ریزی گردند. ‏ساختار این نوع از تراشه ها مشابه ‏ROM‏ بوده با این تفاوت که در محل برخورد هر ‏سطر و ستون از یک فیوز( برای اتصال به یکدیگر) استفاده می گردد. یک شارژ که ‏از طریق یک ستون ارسال می گردد از طریق فیوز به یک سلول پاس داده شده و ‏بدین ترتیب به یک سطر ‏Grounded‏ که نماینگر مقدار “یک” است ، ارسال خواهد ‏شد. با توجه به اینکه تمام سلول ها دارای یک فیوز می باشند، درحالت اولیه ( خالی )، ‏یک تراشه ‏PROM‏ دارای مقدار اولیه ” یک” است . بمنظور تغییر مقدار یک سلول به ‏صفر، از یک ‏Programmer‏ برای ارسال یک جریان خاص به سلول مورد نظر، ‏استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بین سطر و ستون (سوختن فیوز) ‏خواهد کرد. فرآیند فوق را ” ‏Burning the PROM‏ ” می گویند. حافظه های ‏PROM‏ صرفا” یک بار قابل برنامه ریزی هستند. حافظه های فوق نسبت به ‏RAM‏ ‏شکننده تر بوده و یک جریان حاصل از الکتریسیته ساکن، می تواند باعث سوخته ‏شدن فیوز در تراشه شده و مقدار یک را به صفر تغییر نماید. از طرف دیگر ( مزایا ) ‏حافظه ای ‏PROM‏ دارای قیمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای یک ‏ROM‏ ، قبل از برنامه ریزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند. ‏

حافظه ‏EPROM‏ ‏
استفاده کاربردی از حافظه های ‏ROM‏ و ‏PROM‏ با توجه به نیاز به اعمال تغییرات ‏در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغییرات و اصلاحات در این نوع حافظه ها ‏می تواند به صرف هزینه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable ‎programmable read-only memory‏) پاسخی مناسب به نیاز های مطرح ‏شده است ( نیاز به اعمال تغییرات ) تراشه های ‏EPROM‏ را می توان چندین مرتبه ‏باز نویسی کرد. پاک نمودن محتویات یک تراشه ‏EPROM‏ مستلزم استفاده از ‏دستگاه خاصی است که باعث ساطع کردن یک فرکانس خاص ماوراء بنفش باشد.. ‏پیکربندی این نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از یک ‏Programmer‏ از نوع ‏EPROM‏ است که یک ولتاژ را در یک سطح خاص ارائه نمایند ( با توجه به نوع ‏EPROM‏ استفاده شده ) این نوع حافظه ها ، نیز دارای شبکه ای مشتمل از سطر و ‏ستون می باشند. در یک ‏EPROM‏ سلول موجود در نقطه برخورد سطر و ستون ‏دارای دو ترانزیستور است .ترانزیستورهای فوق توسط یک لایه نازک اکسید از ‏یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها ‏Floating Gate‏ و دیگری ‏Control ‎Gate‏ نامیده می شود. ‏Floating gate‏ صرفا” از طریق ‏Control gate‏ به سطر ‏مرتبط است. مادامیکه لینک برقرارباشد سلول دارای مقدار یک خواهد بود. بمنظور ‏تغییر مقدار فوق به صفر به فرآیندی با نام ‏Fowler-Nordheim tunneling‏ نیاز ‏خواهد بود .‏Tunneling‏ بمنظور تغییر محل الکترون های ‏Floating gate‏ استفاده ‏می گردد.یک شارژ الکتریکی بین ۱۰ تا ۱۳ ولت به ‏floating gate‏ داده می ‏شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به ‏floating gate‏ در ‏ground‏ تخلیه ‏خواهد گردید. شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور ‏floating gate‏ مشابه یک ‏‏”پخش کننده الکترون ” رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت ‏دیگر لایه اکسید به دام افتاده و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های ‏شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین ‏control gate‏ و ‏floating gate‏ ‏رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام ‏Cell sensor‏ سطح شارژ پاس داده شده به ‏floating gate‏ را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از ۵۰ ‏درصد شارژ باشد در اینصورت مقدار “یک” را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس ‏داده شده از ۵۰ درصد آستانه عدول نموده مقدار به “صفر” تغییر پیدا خواهد ‏کرد.یک تراشه ‏EPROM‏ دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن ‏مقدار یک را دارا است. ‏
بمنظور باز نویسی یک ‏EPROM‏ می بایست در ابتدا محتویات آن پاک گردد. برای ‏پاک نمودن می بایست یک سطح از انرژی زیاد را بمنظور شکستن الکترون های منفی ‏Floating‏ ‏gate‏ استفاده کرد.در یک ‏EPROM‏ استاندارد ،عملیات فوق از طریق ‏اشعه ماوراء بنفش با فرکانس ۲۵۳/۷ انجام می گردد.فرآیند حذف در ‏EPROM‏ ‏انتخابی نبوده و تمام محتویات آن حذف خواهد شد. برای حذف یک ‏EPROM‏ می ‏بایست آن را از محلی که نصب شده است جدا کرده و به مدت چند دقیقه زیر اشعه ‏ماوراء بنفش دستگاه پاک کننده ‏EPROM‏ قرار داد. ‏